つなぐ 未来

 弊社は、通信用の半導体光デバイスの設計や生産のサポートを行うコンサルティング会社で、かつて大手半導体メーカでデバイス設計/製造を担当していたエンジニア数人が集まって2021年に設立したスタートアップです。

 化合物半導体 (InP)を使って、数mm以下の小さな半導体チップから~100mWという大きな光出力を出すことができる DFBレーザ や、~50G bps という高速な信号を光に置き換えて出力することができる光変調器 などの設計/製造/評価のサポートをいたします。

 光デバイスの性能は設計のみならず、その製造工程にも大きく依存します。従って製造工程を熟知したうえで、それに整合したデバイス設計が必要になります。弊社では、過去の経験に基づく製造工程の深い理解を元に、それを反映した設計を行うことでより短期間での新規デバイスの実用化をサポートいたします。

NEWS

TECHNOLOGY

-技術情報-

01.量子井戸構造のゲイン計算例

  • 量子井戸 (MQW) 活性層のゲインに関する理論計算
  • 活性層の透明電流を正確に決定するユニークな方法を元にしたゲインパラメータの正確な抽出
  • 上記の理論計算結果と経験的に抽出したパラメータの両者を併用した、より正確&現実的な活性層設計(LD, SOA, 及びSOAを用いたTunable LD などへの応用実績有) 

02.複雑な構造の熱抵抗計算 & それを元にしたPIカーブ計算例

  • 熱抵抗計算 = Interposer基板上の複雑な構造も考慮可能
  • その熱抵抗値を用いた CW光出力特性の正確な計算

03.DFB レーザ のパラメータ抽出 & デザイン最適化

  • しきい値電流以下でのDFB レーザスペクトルへのfitting による kL 値の正確な抽出
  • DFB レーザ特性の kL 依存性シミュレーションによるデバイス構造最適化(高 SMSR 歩留まりの実現など)

04.チップ状態での正確な高速変調特性評価(up to 70GHz)

  • Package化 (module化)することなく、Chip-on-carrier状態での正確なDC 及び 高速変調特性(S-parameter / Eye patter)の測定 
  • 測定結果を基にした等価回路の抽出と最適化

05.多層膜端面コートの設計 & 製造サポート

  • 広い波長範囲 (>300nm) で R<0.1% を実現する多層膜AR膜の設計
  • LD mode が感じるAR反射率と基板上でモニターした反射率との相違を考慮したAR膜の最適設計
  • バンドパスフィルター、その他の反射膜設計
  • 反射率の正確な評価及び再現性よく膜形成する技術サポート                                                                                                                                                              

COMPANY

-会社情報-

会社名ゼッタ・コアソリューションズ合同会社
事業内容半導体光デバイスの設計開発/工場立上及び製造支援
本社所在地190-0011 東京都立川市高松町3-14-14 立川OSEビル301
設立年2021年8月23日
代表者和田 浩

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